RK3576 vs RK3588
| 项目 | RK3588 | RK3576 |
|---|---|---|
| CPU 架构 | 4× Cortex-A76 + 4× Cortex-A55 | 4× Cortex-A72 + 4× Cortex-A53 + Cortex-M0 |
| 制程工艺 | 8nm | 8nm |
| GPU | Mali-G610 MC4，支持 OpenCL 2.2 | Mali-G52 MP3，支持 OpenCL 2.1 |
| NPU（AI） | 6 TOPS，支持 INT4/8/16、FP16/BF16/TF32 | 6 TOPS，支持 INT4/8/16、FP16/BF16/TF32 |
| 内存支持 | 64-bit LPDDR4/4x/5 | 32-bit LPDDR4/4x/5 |
| 存储接口 | eMMC5.1 / UFS / NVMe / SATA / HS400 SDIO / SFC | eMMC5.1 / UFS2.0 / SATA / SDIO3.0 / SFC |
| 视频解码 | 8K@60fps（H.265） | 8K@30fps（H.265），4K@60fps（H.264） |
| 视频编码 | 8K@30fps（H.264/H.265） | 4K@60fps（H.264/H.265） |
| 最大显示输出 | 7 路异显（双 HDMI2.1、双 DP1.4、双 eDP、MIPI） | 3 路异显（HDMI2.1、DP1.4、eDP、MIPI、USB-C） |
| ISP（摄像头） | 48MP ISP，支持 3DNR、HDR | 16MP ISP，支持 3DNR、HDR |
| PCIe 接口 | PCIe3.0 x4 + PCIe2.1 x1 | PCIe3.0 x2 |
| USB 接口 | USB3.1 Gen1 ×2 + USB2.0 ×3 + USB-C | USB3.0 ×1 + USB2.0 ×2 + USB-C |
| 典型功耗 | 较高，适合主动散热环境 | 更低，适合被动散热或轻量终端 |
| 成本 | 较高 | 约为 RK3588 的 30% 成本 |
| 性能占比 | 100% | 约为 RK3588 的 70% 性能 |
RK3588 vs RK3576 CPU架构差异量化对比表
| 分析项 | RK3588（A76+A55） | RK3576（A72+A53） | 差异量化（约） |
|---|---|---|---|
| 单核性能 | A76 单核性能 ≈ A72 的 1.8 倍 | A72 单核（参考） | 🚀 提升约 80% |
| 小核能效 | A55 性能 ≈ A53 的 1.2 倍，功耗下降 15% | A53（低功耗） | ⚡ 性能提升 20%，功耗降低 10～20% |
| 调度效率 | DynamIQ 延迟更低，核间共享缓存 | big.LITTLE，核间通信较慢 | ⚙️ 多核调度效率提升 25～40% |
| 缓存结构 | L1/L2 更大 + L3（统一缓存） | 缓存较小，无统一 L3 | 📈 缓存命中率提升 15～30% |
| 浮点/NEON | NEON 执行单元性能提升约 2 倍 | 基础 SIMD 性能 | 🎯 向量/图像处理速度提升 1.5～2 倍 |
| 虚拟化支持 | 支持 ARMv8.2-A，增强虚拟化能力 | ARMv8.0，仅基础支持 | 🛡️ 轻量虚拟化场景效率提升 50%+ |
| 功耗（大核） | 同频下 A76 每 MHz 功耗略高 | A72 功耗更低 | 🔋 A76 ≈ A72 的 1.1～1.2 倍功耗 |
| 平台整体算力 | Geekbench 多核分数 > 8000 | 多核分数约 5000～5500 | 📊 综合性能提升约 50～60% |
RK3588 vs RK3576 DDR 规格与性能量化对比表
| 指标项 | RK3588 | RK3576 | 差异量化说明 |
|---|---|---|---|
| 支持内存类型 | LPDDR4 / LPDDR4x / LPDDR5 | LPDDR4 / LPDDR4x / LPDDR5 | ✅ 相同 |
| 位宽（总线宽度） | 64-bit | 32-bit | ⚠️ 带宽减半 |
| 最大频率 | LPDDR5：6400Mbps LPDDR4x：4266Mbps |
LPDDR5：6400Mbps LPDDR4x：4266Mbps |
✅ 相同 |
| 最大带宽（理论） | LPDDR4x：34.1 GB/s LPDDR5：51.2 GB/s |
LPDDR4x：17.0 GB/s LPDDR5：25.6 GB/s |
🚀 RK3588 提升 100%（2 倍） |
| 最大容量 | ≥32GB（视具体封装） | ≤16GB | 🔺 容量减半 |
| 通道数（Channel） | 双通道 | 单通道 | ⚙️ 并发能力下降 |
| 读写并发性能 | 高（双通道互补+64bit总线） | 中（单通道+32bit） | 🧠 多任务/多摄场景差距明显 |
| 功耗表现 | 中等（更高速，适中功耗） | 更低（带宽低+功耗更小） | ✅ 更适合被动散热设备 |
| EMI/PCB 复杂度 | 高（64bit 总线，布线复杂） | 低（32bit 总线，简单布局） | ⚙️ RK3576 更易于硬件开发 |
金亚太
乐晓科技-KicKpi
扩展dts
kernel-6.1/arch/arm64/boot/dts/rockchip/rk3576-kickpi-extend-40pin.dtsi kernel-6.1/arch/arm64/boot/dts/rockchip/rk3576-pinctrl.dtsi
// extend default gpio
&can0 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&can0m2_pins>;
status = "okay";
};
&can1 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&can1m1_pins>;
status = "okay";
};
/*
&uart5 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&uart5m0_xfer>;
status = "okay";
};
&uart6 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&uart6m0_xfer>;
status = "okay";
};
*/
&uart8 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&uart8m0_xfer>;
status = "okay";
};
/*
&uart10 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&uart10m1_xfer>;
status = "okay";
};
*/
&pwm2_8ch_6 {
pinctrl-0 = <&pwm2m2_ch6>;
status = "okay";
};
&pwm2_8ch_7 {
pinctrl-0 = <&pwm2m2_ch7>;
status = "okay";
};
&pwm0_2ch_1 {
pinctrl-0 = <&pwm0m0_ch1>;
status = "okay";
};
&pinctrl {
spi4 {
spi4_cs0n: spi0-cs0n {
rockchip,pins = <1 RK_PD0 RK_FUNC_GPIO &pcfg_pull_up_drv_level_0>;
};
};
};
&spi4 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&spi4_cs0n &spi4m2_pins>;
status = "okay";
cs-gpios = <&gpio1 RK_PD0 GPIO_ACTIVE_LOW>;
spidev0: spidev@0 {
compatible = "rockchip,spidev";
status = "okay";
reg = <0>;
spi-max-frequency = <24000000>;
};
};
&i3c0 {
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&i3c0m1_xfer &i3c0_sdam1_pu>;
//pinctrl-0 = <&i3c0m1_xfer>;
status = "okay";
};
&leds {
GPIO0_A5: gpio0-a5 {
label = "GPIO0_A5";
gpios = <&gpio0 RK_PA5 GPIO_ACTIVE_HIGH>;
default-state = "off";
};
GPIO3_B0: gpio3-b0 {
label = "GPIO3_B0";
gpios = <&gpio3 RK_PB0 GPIO_ACTIVE_HIGH>;
default-state = "off";
};
// 3-28
GPIO3_D4: gpio3-d4 {
label = "GPIO3_D4";
gpios = <&gpio3 RK_PD4 GPIO_ACTIVE_HIGH>;
default-state = "off";
};
// 3-29
GPIO3_D5: gpio3-d5 {
label = "GPIO3_D5";
gpios = <&gpio3 RK_PD5 GPIO_ACTIVE_HIGH>;
default-state = "off";
};
// 4-25
GPIO4_D1: gpio4-d1 {
label = "GPIO4_D1";
gpios = <&gpio4 RK_PD1 GPIO_ACTIVE_HIGH>;
default-state = "off";
};
};
&i2c7 {
pinctrl-0 = <&i2c7m1_xfer>;
status = "okay";
};
// MIPI_CSI0
&i2c4 {
pinctrl-0 = <&i2c4m3_xfer>;
status = "okay";
};
// MIPI_CSI1
&i2c5 {
pinctrl-0 = <&i2c5m3_xfer>;
status = "okay";
};
// MIPI_CSI3
&i2c8 {
pinctrl-0 = <&i2c8m2_xfer>;
status = "okay";
};
接4G或者M2硬盘出现声音问题
原因分析
主板使用的电感为功率电感
电感分类
| 分类维度 | 类别名称 | 特征说明 | 是否易啸叫 | 常见封装/示例型号 |
|---|---|---|---|---|
| 结构分类 | 一体成型电感 | 整体磁胶压铸成型，无裸线、无缝隙、静音性好 | ❌ 极少 | XAL5030、IHLP2525、WE-HCI |
| 绕线屏蔽电感 | 铜线绕在磁芯上，外壳有金属罩，可见铜线或缝隙，结构松散 | ✅ 较高 | CDRH104R、NR8040 | |
| 灌胶电感 | 在绕线结构中灌封环氧或磁胶，结构加固，震动降低 | ⚠️ 中等 | SLF7045、WE-MAPI | |
| 空心电感 | 无磁芯，仅绕线，体积小，高频适用，无磁饱和 | ❌ 很少 | 高频小信号电感（如 0603、0402） | |
| 封装类型 | SMD（贴片式） | 表面贴装，常见于消费类电子，适合自动化生产 | - | LQH32、XAL4030、WE-MAPI |
| DIP（插件式） | 有引脚，插入 PCB 孔焊接，常用于电源设备 | - | 通孔圆柱绕线电感 | |
| 功能分类 | 储能电感 | 存储能量，用于开关电源、降压升压 DC-DC 等 | ✅ 可能 | 10μH~47μH 的一体型或绕线型 |
| 滤波电感 | 抑制纹波或高频干扰，稳定电压电流 | ⚠️ 中等 | 共模滤波器、USB 供电滤波 | |
| 共模电感 | 抑制 EMI 干扰，对两线共模干扰进行滤波 | ⚠️ 中等 | TDK ACM 系列、村田 PLT 系列 | |
| 高频电感（RF） | 高频低损耗、适用于射频/通信领域，尺寸小 | ❌ 很少 | LQW系列、MLG系列 | |
| 材料分类 | 铁氧体电感 | 高频低损耗，常用于滤波和一般 DC-DC | ⚠️ 中等 | 常见黑色磁芯，如 NR 系列 |
| 铁粉磁芯 | 饱和电流高，常用于大电流降压电路 | ✅ 易响 | 部分 CDRH、绕线电感 | |
| 磁胶复合材料 | 一体成型电感使用，震动吸收好，EMI 特性优秀 | ❌ 极少 | Vishay IHLP、Coilcraft XAL、WE-HCI |
为什么数字电路也需要电感？
虽然数字信号本身以高/低电平为主，但数字器件的开关速度非常快（纳秒级），这会导致：
- 电源轨上产生尖峰干扰、瞬态噪声；
- 接地层和供电层形成回流路径干扰；
- PCB 成为天线辐射高频 EMI；
电感在这些场合通过“阻高通低”（即对高频呈高阻抗）来限制干扰传播。
电感在数字电路中主要起“隔离、滤波、抑制噪声”的作用，是电源完整性（Power Integrity, PI）设计中的关键器件。
